1、肖特基二极管压降的意义 肖特基二极管的优点是阻抗低、正向压降小、恢复速度快，所以常用于高频大电流整流和降电保护线路。 2、肖特基二极管压降的常用测试方法 用“DCPOWERSUPPLY”仪（恒流稳压直流电流）测试：先给小电压以便有电流通过肖特基二极管，再慢慢调大电流达到被测肖特基二极管的额定电流 ...
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2018-11-19 14:40:25
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一、TVS管的特性曲线 TVS管的电路符号与普通稳压二极管相同。它的正向特性与普通二极管相同；反向特性为典型的PN结雪崩器件。在瞬态峰值脉冲电流作用下，流过TVS管的电流，由原来的反向漏电流ID上升到IR时，其两极呈现的电压由额定反向关断电压VWM上升到击穿电压VBR，TVS管被击穿。随着峰值脉冲电 ...
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2018-11-19 14:39:55
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§4.4若干典型的组合逻辑电路 一、 编码器（具有编码功能的逻辑电路） （1）普通编码器：不能同时按下输入键，是根据真值表设计编码器电路。 （2）优先编码器：具有一定的优先级，是根据真值表设计的优先编码器电路。 二、译码器（具有译码功能的逻辑电路） （1）译码是编码的逆过程，它的功能是将具有特定含义 ...
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2018-11-19 00:26:18
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硬击穿是一次性造成器件的永久性失效，如器件的输出与输入开路或短路（二极管硬击穿几乎为短路）。 软击穿则可使器件的性能劣化，并使其指标参数降低而造成故障隐患。由于软击穿可使电路时好时坏(指标参数降低所致，如万用表测试肖特基二极管，会有显示相对正常的阻值，但专业肖特基二极管测试仪会发现其VB（耐压）本来 ...
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2018-11-16 13:28:20
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1.直接驱动 电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。 2.互补三极管驱动 当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输出的PWM信号不足已驱动MOS管时，加互补三极管 ...
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2018-11-16 13:24:12
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肖特基二极管是有极性的。电阻元件接入电路可不分极性。但肖特基二极管必须正确安装。肖特基二极管安装不正确不仅会破坏它本身，而且可能会破坏电路其他许多零件。 技术人员在检查肖特基二极管的极性时，常常要用原理图。图8-23表示极管的简图符号。P型材料是-极管的阳极，“阳极”的意思表明吸收电子的端。N型材料 ...
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2018-11-15 13:52:04
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所有MOS管集成电路(包括P沟道MOS,N沟道MOS，互补MOS管-CMOS集成电路)都有一层绝缘 栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻一二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD) ...
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2018-11-15 12:05:29
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肖特基二极管是电子设计中最常见的器件之一。根据应用的场合，工程师们更关注肖特基二极管的类型、正向电流、反向耐压和开关时间等。相对来说，耗散功率(PowerDissipation)也是同等重要。 众所周知，肖特基二极管具有单线导电性。根据半导体材料，分为硅二极管和锗二极管;据应用场合，分为肖特基整流二 ...
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2018-11-13 12:17:27
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1、不同版本 然而，并非所有的肖特基二极管都一样。例如，大多数硅用于高达250V的电压，而砷化镓、碳化硅或硅锗被用作阻断200至1700V电压的半导体材料。肖特基二极管具有大约0.4V的低阈值电压，工作电流较低时甚至低于0.1V。这远远低于电压约为1V的半导体-半导体结。肖特基二极管因此可以与硅双极 ...
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2018-11-06 13:27:53
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2018-11-5 俗称“迷宫老化自动校正算法”。 烟雾探测器检测环境烟雾浓度的原理是什么？ 光电式迷宫烟感检测环境烟雾浓度的原理是通过一种“光电式传感器迷宫”反馈的数值来表现的。 图1 光电式烟雾探测迷宫结构 光电式迷宫内部有两个发光二极管。一个是光发射管，另一个是光接收管。两个二极管呈一定夹角对 ...
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2018-11-05 20:55:27
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