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搜索关键字:sram    ( 345个结果
深入解析内存原理:DRAM的基本原理
前面我们知道了在一个简单的SRAM 芯片中进行读写操作的步骤了,然后我们来了解一下普通的DRAM 芯片的工作情况。DRAM 相对于SRAM 来说更加复杂,因为在DRAM存储数据的过程中需要对于存储的信息不停的刷新,这也是它们之间最大的不同。 1. 多路寻址技术最早、最简单也是最重要的一款DRAM 芯 ...
分类:其他好文   时间:2017-06-23 20:55:28    阅读次数:6565
深入解析内存原理:SRAM的基本原理
1. SRAM芯片的引脚定义早期的SRAM 芯片采用了20 线双列直插(DIP:Dual Inline Package)封装技术,它们之所以具有这么多的针脚,是因为它们必须:? 每个地址信号都需要一根信号线? 一根数据输入线和一根数据输出线? 部分控制线(Write Enable, Chip Sel ...
分类:其他好文   时间:2017-06-23 14:12:53    阅读次数:166
s5pv210的启动过程
s5pv210的启动方式:SD0启动,SD2启动,USB启动 s5pv210启动涉及的硬件 s5pv210启动涉及的硬件 不需要初始化的外存Norflash(iROM)+静态内存SRAM (iRAM ) 需要初始化的大动态内存DRAM +大外存iNand 上电后,先从64KB的iROM中读取预先设置 ...
分类:其他好文   时间:2017-06-13 22:48:01    阅读次数:277
使用C++实现一个LRU cache
什么是LRU Cache LRU是Least Recently Used的缩写,意思是近期最少使用。它是一种Cache替换算法。什么是Cache?狭义的Cache指的是位于CPU和主存间的高速RAM,通常它不像系统主存那样使用DRAM技术,而使用昂贵但较高速的SRAM技术。广义上的Cache指的是位 ...
分类:编程语言   时间:2017-06-12 14:41:30    阅读次数:228
STM32F030低功耗
1.低功耗模式类型 功耗由高到低: sleep mode: 进入:CPU时钟停止,外设工作,IO保持 唤醒:唤醒耗时最少 可由中断和外部事件唤醒 stop mode: 进入:所有时钟停止,寄存器及SRAM内容保持,IO保持。 唤醒:HSI作为系统始终 可由中断和外部事件唤醒 standby mode ...
分类:其他好文   时间:2017-05-31 16:32:08    阅读次数:293
简单介绍nandflash、norflash、ram、sram、dram、rom、eeprom、flash的差别
1、nandflash Nandflash是IO设备,数据、地址、控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash、内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行)。因此不能直接作为boot。 S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里 ...
分类:其他好文   时间:2017-05-26 10:48:35    阅读次数:189
关于STM32系统构架的一点见解
一.首先说说STM32F10x芯片由丝印所体现出的共同点和区别。 先简单说说命名规则: 101基本型,102USB基本型,103增强型,105或107互联型。 T:36脚,C:48脚,R:64脚,V:100脚,Z:144脚。 C:256K SRAM, D:384K SRAM, E:512K SRAM ...
分类:其他好文   时间:2017-05-17 00:48:31    阅读次数:250
nboot,eboot和uboot
nboot,eboot和uboot三者均为bootloader。 nboot是samsung系列cpu为了能将前4KB程序复制到SRAM中运行,而在wince写的。nboot很小(4k左右),一般用在从nandflash启动的情况,nandflash不支持xip,所以必须有一个可以执行的程序将烧写在 ...
分类:其他好文   时间:2017-05-10 14:31:32    阅读次数:173
FMSC 使用理解
看了非常长时间 FMSC资料 都说的模糊的。 事实上非常easy: fsmc就是为了扩展内存的,如我们在stm32芯片外加入一个sram芯片。那么我们仅仅须要把 sram芯片的地址线和数据线和stm32连接后。然后将内核规定的地址数赋给sram的地址,那么我们就能够通过内核规定的地址去訪问sram芯 ...
分类:其他好文   时间:2017-05-07 12:50:44    阅读次数:134
STM32中的位带(bit-band)操作
支持了位带操作后,可以使用普通的加载/存储指令来对单一的比特进行读写。在 CM3 中,有两个区中实现了位带。其中一个是 SRAM 区的最低 1MB 范围,第二个则是片内外设区的最低 1MB范围。这两个区中的地址除了可以像普通的 RAM 一样使用外,它们还都有自己的“位带别名区”,位带别名区把每个比特 ...
分类:其他好文   时间:2017-05-03 22:53:50    阅读次数:257
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