可控硅全称“可控硅整流元件”（Silicon Controlled Rectifier），简写为SCR，别名晶体闸流管（Thyristor），是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。可控硅体积小、结构简单、功能强，可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用，因此现已被广泛应用于各种电子产 ...
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2017-12-28 21:38:16
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晶振是石英晶体谐振器（quartz crystal oscillator）的简称，也称有源晶振，它能够产生中央处理器（CPU）执行指令所必须的时钟频率信号，CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的，时钟信号频率越高，通常CPU的运行速度也就越快。 只要是包含CPU的电子产品，都至少包含一个时钟源， ...
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2017-12-28 21:37:57
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Hardy(晗狄) 架构师技术联盟NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解，大家可以参考文章闪存技术最全面解析。今天主要讨论下NAND Flash生产过程、架构和关键指标。NAND Flash是从原始的硅材料加工
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2017-12-23 23:08:46
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模拟退火算法的物理背景： 模拟退火算法的核心思想与热力学的原理极为相似，在高温下，液体的大量分子彼此之间进行相对移动，如果液体慢慢冷却，原子的可动性就会消失，原子自行排列成行，形成一个纯净的晶体． 如果温度冷却迅速，那它不一定能达到这个状态，这一个过程的本质在于，慢慢冷却，使原子在丧失可动性之前重新 ...
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2017-12-20 04:04:28
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2017 2018 1 20155212 《信息安全系统设计基础》第13周学习总结 教材学习内容总结 历史观点 X86 寻址方式经历三代 DOS时代的平坦模式，不区分用户空间和内核空间，很不安全 8086的分段模式 IA32的带保护模式的平坦模式 摩尔定律 ：预测在未来十年，芯片上的晶体管数量每年都 ...
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2017-12-17 14:13:03
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电感器作为电容的姊妹篇，其传奇色彩并列电阻、电容、晶体管。 电感器，主要构造由“绕圈”的铜线构成，由于通电的导线在导线周围可以形成环形磁场，“绕圈”得导线磁场可以叠加形成更为强烈的磁场。 磁场和电场、重力场极为相似，都是能量场，即能量差场。 重点：场以一种能量差环境，能量不均衡地带就有可能产生，能量 ...
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2017-12-11 23:08:19
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转载地址：https://www.zhihu.com/question/23374078 很久很久以前，有一群人，他们决定用8个可以开合的晶体管来组合成不同的状态，以表示世界上的万物。他们看到8个开关状态是好的，于是他们把这称为”字节“。再后来，他们又做了一些可以处理这些字节的机器，机器开动了，可以 ...
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2017-11-27 21:46:12
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各向异性的概念 各向异性（anisotropy）是指材料在各个方向的力学和物理性能呈现差异的特征。晶体的各向异性即沿晶格的不同方向，原子排列的周期性和疏密程度不尽相同，由此导致晶体在不同方向的物理化学特性也不同，这就是晶体的各向异性。亦称“非均匀性”. 物体的全部或部分物理、化学等性质随方向的不同而 ...
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2017-11-06 00:05:57
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03_人工智能芯片 现在出了很多人工智能芯片，Nvidia , Intel, 华为，Apple。 究其原因是为了计算速度 CPU: 提高速度 = 提高单位面积晶体管数量(密度) 或 提高频率 (越小量子隧穿效应越显现，栅极漏电流越来越大，密度很难再增加，发热问题也大, 所以大家看到的都是加多核) ( ...
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2017-11-02 00:56:20
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TTL反相器的外部特性 电压传输特性 输入端噪声容限特性 静态输入特性： 静态输出特性： 动态特性： 传输延迟时间：是由晶体管的延迟时间，电阻以及寄生电容元素引起的。包括俩部分：输入由低电平跳为高电平，以及高电平跳为低电平 交流噪声容限：表明输入信号对干扰信号地容忍度，包括正脉冲噪声容限和负脉冲噪声 ...
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2017-10-25 21:18:19
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