DRAM 即动态内存，其基本单位是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图：
图只是DRAM一个基本单位的结构示意图：电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0，但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1，而“空”的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷，所以内存需要不断定时刷新，才能...
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2014-12-08 09:22:11
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由于需要兼容更多的emcp,mcp,discrete dram，以及由于新的需求修改preloader code都可能会增大preloader bin的size，这时就可能会在build preloader阶段发生build error，log中会报类似以下的错误信息：===================== Building Fail =========================== I...
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2014-11-24 10:06:24
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NAND FLASH 原理闪存保存数据的原理:与DRAM以电容作为存储元件不同，闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，...
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2014-11-20 10:17:06
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嵌入式常用定义整理简述常见的嵌入式存储器和特点（4种以上）。ROM、SRAM、DRAM。根据掉电数据是否丢失，存储器可以分为RAM（随机存取器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。人们通常所说的内存即指系统中的RAM。RAM又可分为SR...
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2014-11-19 07:23:12
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sram的型号：ISSI IS61LV25616 -10TL以上是数据手册上的。对sram的认识：SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但...
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2014-11-13 22:12:17
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集邦科技(TrendForce)旗下的分析部门DRAMeXchange的研究，针对对DRAM与NANDFlash产业的长久观察下，提出了对2012-2015年间产业发展的六大趋势预测：趋势一、PC-DRAM现阶段主流规格DDR3将主宰市场至2014年2011年开始PC-DRAM的主流规格已升级为DD...
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2014-11-06 19:14:57
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U-Boot SPL 2014.04 (Oct 31 2014 - 17:02:41) Board: Cubietruck DRAM: 2048 MiB CPU: 960000000Hz, AXI/AHB/APB: 3/2/2 spl: not an uImage at 1600 U-Boot 2014.04 (Oct 31 2014 - 17:02:41) Allwinner Techno...
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2014-11-04 17:40:38
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U-Boot SPL 2014.04 (Oct 24 2014 - 16:39:49) Board: Cubietruck DRAM: 2048 MiB CPU: 960000000Hz, AXI/AHB/APB: 3/2/2 spl: not an uImage at 1600 U-Boot 2014.04 (Oct 24 2014 - 16:39:49) Allwinner Techno...
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2014-10-31 17:33:02
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HELLO! BOOT0 is starting! boot0 version : 2.0.0 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? read dram para. dram driver version: 1.15 dram size =1024MB 0x7b7afe7f super_standby_flag = 0 Succeed in opening nan...
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2014-10-30 12:02:02
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记录几种 RAM 和 ROM 的区别：先说RAM吧！！由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM都可以统称RAM，random access memory的缩写，只是前面加了几个修饰词而已。SRAM： 静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次....
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2014-10-29 10:41:28
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