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搜索关键字:mos    ( 1457个结果
计算机组成与设计(三)—— 门电路的基本原理
集体管 现在集成电路中常使用MOS集体管:Metal-Oxide-Semiconductor(金属-氧化物-半导体) 晶体管有两种类型:N型和P型,由NMOS和PMOS共同构成的互补型MOS集成电路(CMOS) 它们两者的区别在于:NMOS是高电平有效,PMOS是低电平有效。 例如,对NMOS来说, ...
分类:其他好文   时间:2018-11-29 22:29:15    阅读次数:331
Python 反射机制
Python的反射机制 Python的反射机制,就是反射就是通过字符串的形式,导入模块;通过字符串的形式,去模块寻找指定函数,并执行。利用字符串的形式去对象(模块)中操作(查找/获取/删除/添加)成员,一种基于字符串的事件驱动! 常用的反射内置函数有四个:hasattr(),getattr(),se ...
分类:编程语言   时间:2018-11-29 01:28:11    阅读次数:226
Oracle metalink 中文文档列表 - Oracle EBS
中文文档列表-OracleEBS(EnterpriseBusinessSuite)(文档ID1553829.1)https://support.oracle.com/epmos/faces/DocumentDisplay?parent=DOCUMENT&id=1553829.1
分类:数据库   时间:2018-11-28 18:51:31    阅读次数:140
HDU—4463 Outlets 最小生成树
In China, foreign brand commodities are often much more expensive than abroad. The main reason is that we Chinese people tend to think foreign things ...
分类:其他好文   时间:2018-11-26 20:20:36    阅读次数:182
Openshift 用户,角色和RBAC
OCP中的权限管理沿用的Kubernetes RBAC机制,授权模式主要取决于下面几个因数 Rules 针对主要对象的操作权限,比如建立Pod Sets of permitted verbs on a set of objects. For example, whether something ca ...
分类:其他好文   时间:2018-11-26 02:10:13    阅读次数:203
Algorithms: Design and Analysis, Part 1 - Programming Assignment #1
自我总结: 1.编程的思维不够,虽然分析有哪些需要的函数,但是不能比较好的汇总整合 2.写代码能力,容易挫败感,经常有bug,很烦心,耐心不够好 题目: In this programming assignment you will implement one or more of the inte ...
分类:其他好文   时间:2018-11-25 00:03:34    阅读次数:426
列表操作
列表操作 append 功能:列表追加元素 name = ['sd','dfdf','drer'] name.append('sdsd') 返回结果:name ['sd', 'dfdf', 'drer', 'sdsd'] clear 功能:情况列表元素 name = ['sd','dfdf','dr ...
分类:其他好文   时间:2018-11-24 17:53:06    阅读次数:232
adidas crazylight 2018 performance analysis review
This is a short and sweet review because the CLB 2018 is the 2016 version with a different upper material and less heel slip. So a lot of people asked ...
分类:其他好文   时间:2018-11-22 21:00:43    阅读次数:173
Leetcode11 Container With Most Water
首先想到的肯定是暴力解法,O(n^2)。 421ms,8.51%,肯定不行,思考更优解法。 自己想到了two pointer,但是没有彻底想明白,看了solution后明白了。 6ms,66.7%,O(n)。和3ms答案基本一个思路了,可以了。 ...
分类:其他好文   时间:2018-11-21 22:15:08    阅读次数:177
浅析功率型MOS管损坏模式
一、雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。 在1质负载的开关运行断开时产生的回扫电压,或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOS管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪 ...
分类:其他好文   时间:2018-11-21 15:50:49    阅读次数:297
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