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搜索关键字:晶体    ( 513个结果
定时器中断---那些年我们一起玩mini2440(arm9)裸机
(时钟体系)时钟概念:★时钟脉冲:一个按一定电压幅度,一定时间间隔连续发出的脉冲信号;★时钟频率:在单位时间(如:1秒)内产生的时钟秒冲数;时钟的作用:时钟信号是时序逻辑的基础,它用于决定逻辑单元中的状态何时更新。数字芯片中众多的晶体管都工作在开关状态,它们的导通和关断动作无不是按照时钟信号的节奏进...
分类:其他好文   时间:2014-12-08 12:08:51    阅读次数:423
DRAM内存原理(一)内存基础
DRAM 即动态内存,其基本单位是由一个晶体管和一个电容器组成。请看下图:  图只是DRAM一个基本单位的结构示意图:电容器的状态决定了这个DRAM单位的逻辑状态是1还是0,但是电容的被利用的这个特性也是它的缺点。一个电容器可以存储一定量的电子或者是电荷。一个充电的电容器在数字电子中被认为是逻辑上的1,而“空”的电容器则是0。电容器不能持久的保持储存的电荷,所以内存需要不断定时刷新,才能...
分类:其他好文   时间:2014-12-08 09:22:11    阅读次数:217
NPN&PNP
一.晶体管基础知识晶体管分2种:NPN、PNP晶体管通常封装为TO-92,下面是元件实物图 和 元件符合:NPN:当电压和电流被加到基极上时,NPN晶体管;其工作原理:就像水龙头—给控制开关一点压力,它就放出水来;同样给基极一定电压和电流,就可以使晶体管的集电极到发射极通过的电流增大,从而导通;如图...
分类:其他好文   时间:2014-12-05 23:53:35    阅读次数:201
Crystal/DCXO(晶体)与TC-VCXO(晶振)校准过程
AFC校准过程AFC校准过程由于GSM手机采用时分多址(TDMA)技术,以不同的时间段即时隙,来区分用户,故手机与系统保持时间同步就显得非常重要。若手机时钟与系统时钟不同步,则会导致手机不能与系统进行正常的通信。在GSM系统中,有一个公共的广播控制信道(BCCH),它包含频率校正信息与同步信息等。手...
分类:其他好文   时间:2014-12-04 13:49:00    阅读次数:713
科研第三天
今天学习:光子晶体(人工合成的材料,光子传播速度更快,因此比传统的材料要好)能隙,分为不完全能隙和完全能隙(光完全不透射)看了BandSOLVE中的第五章如何制作光子晶体的结构step1:在rsoft中先设定设计工具为BandSOLVEstep2:选择方法1.FDTD(时域有限差分法) :可以把晶体...
分类:其他好文   时间:2014-11-27 20:24:16    阅读次数:162
提高开关速度 -- 电容加速电路
基本的晶体管开关电路饱和开关的问题点:OFF延时时间如图1所示,使场效应晶体管开关动作时,加给晶体管的基极电流IB:IB=IC/hFE,决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压VCE(set)减小,使晶体管的ON时的电力损耗降低的缘故。这样,晶体管饱和动作时,如图2所示,基极电流IB...
分类:其他好文   时间:2014-11-27 20:03:19    阅读次数:172
停止了吸收血液,这颗晶体好像是吃饱了一
”林峰不禁尴尬了,他是来安慰人的,这下可好,安慰没有什么效果,到还有送上了几分打击。 “啊!”刘琛再次长舒一口气,这次他没有强忍着,而是任凭酒气上涌,刺激着他的喉咙,胃,还有他的大脑。我也是三十班,近水楼台!”刘琛不禁心里yy起来,但是显然他没有这个胆量,不然也不至于苦恼了两年半还是没有勇气说出来。...
分类:其他好文   时间:2014-11-26 22:23:33    阅读次数:205
跟我到CPU内部去看1+1=2是如何运行的!(2) 【转载】
在上文中你知道1+1=2是如何在cpu中运作的么?----跟我到cpu内部去看看吧!(1) 我们通过旅游的视角已经的揭开了CPU的一角面纱,到现在为止我们可以清楚一下两件事情. 1 晶体管是CPU中的核心部件. 2 可以通过控制晶体管并对其进行逻辑组合便可以计算. 那么1+1=2是如何通过晶体管来进...
分类:其他好文   时间:2014-11-26 18:31:44    阅读次数:199
cpu工作原理
众所周知,CPU是电脑的“心脏”,是整个微机系统的核心,因此,它也往往成了各种档次微机的代名词,如昔日的286、386、486,奔腾、PII、K6到今天的PIII、P4、K7等。回顾CPU发展历史,CPU在制造技术上已经获得了极大的提高,主要表现在集成的电子元件越来越多,从开始集成几千个晶体管,到现...
分类:其他好文   时间:2014-11-26 18:00:45    阅读次数:157
(转)绝缘栅型场效应管
绝缘型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。又因栅极为金属铝,故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多,可达1010Ω以上,还因为它比.....
分类:其他好文   时间:2014-11-19 12:33:52    阅读次数:151
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