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Python 简明教程 ---10,Python 列表
微信公众号:码农充电站pro 个人主页:https://codeshellme.github.io 程序 = 算法 + 数据结构 —— Nicklaus Wirth 目录 从这句话程序 = 算法 + 数据结构 可以看出数据结构对于编程的重要性。数据结构就是数据的组织/存储方式。 从本节开始我们将介绍 ...
分类:编程语言   时间:2020-05-26 19:55:35    阅读次数:74
Python 简明教程 --- 9,Python 编码
微信公众号:码农充电站pro 个人主页: 当你选择了一种语言,意味着你还选择了一组技术、一个社区。 —— Joshua Bloch 目录 1,什么是计算机编码 编码 从一种形式 到另一种形式的过程,就叫做 。说白了,编码就是信息的一种转换过程。 比如,信息的 ,这就是信息的一种转换过程,它是信息的明 ...
分类:编程语言   时间:2020-05-25 19:06:11    阅读次数:77
java中的封装
封装 为什么要使用封装? 1、比如打电话,我们只要按键拨打就可以,不需要知道手机的内部结构,也不需要知道怎么打出去 2、比如给手机充电,只要通过手机提供的接口,就可以,不需要知道怎么把电冲进去的 封装的含义? 隐藏对象内部的复杂性,只对外公开简单的接口,便于外界使用,从而提高系统的扩展性、可维护性 ...
分类:编程语言   时间:2020-05-21 14:39:46    阅读次数:67
小米10青春版
亮点: 这是目前最便宜的配置潜望式长焦镜头的手机,5倍光学变焦+10倍混合变焦+50倍数码变焦,支持分体式OIS防抖,长焦拍照更稳定; 屏幕素质不错,钻石排列原色屏,专业色准,4,300,000:1 对比度,180Hz 采样率,支持HDR10+,低蓝光护眼认证,除了没有90Hz刷新率确实没啥遗憾; ...
分类:移动开发   时间:2020-05-19 01:16:42    阅读次数:109
USB-C转HDMI/VGA带PD3.0音视频数据转换器方案AG9321
ALGOLTEKAG9321-MBQ提供了一个USB-C(显示端口备用)到HDMI转换器的带电源传输的单片机解决方案。AG9321-MBQ支持带片内Rp/Rd电阻器的双USB-C型插座,并符合电源传输规范USB3.0.AG9321-MBQ还支持快速充电?QC3.0为电池充电。DisplayPort接收器符合DisplayPort1.2规范,支持4096x2160/30Hz分辨率,可配置1、2或4通
分类:其他好文   时间:2020-05-17 01:01:42    阅读次数:76
Transactional 事务 锁机制
问题代码: @Transactionaldef stop(Long id) { ....... // M5系列去停止充电 pileJmsService.stopCharge(chargePile, chargeRecord.port, chargeRecord) // 停止充电后续处理 def lo ...
分类:其他好文   时间:2020-05-12 20:12:34    阅读次数:63
PerfDog可以助力高帧率游戏生态更全面发展
前段时间OPPO发布了全新从Reno系列独立出来的ACE系列,带来了Ace2; Ace2拥有强大的配置:高通骁龙865 SOC、LPDDR5高速内存、4D恒冷散热、65W有线+40W无线快速充电等; 同时Ace2采用轻量化设计,而在发布会上OPPO官方也花了大篇幅介绍Ace2的游戏体验; 同时越来越 ...
分类:其他好文   时间:2020-05-11 15:22:05    阅读次数:107
SRAM中灵敏放大器的原理
灵敏放大器即是使小的差分输入电压放大成更大的输出电压。由于存储器中差分位线上的负载重,因而位线上的电压变化非常缓慢。为了降低延时,首先要使所有位线上的电压都相等接下来,当这些位线被驱动时,灵敏放大器就可以检测到一个小的电压摆幅并将其恢复到正常的逻辑电平。
分类:其他好文   时间:2020-05-09 19:14:13    阅读次数:486
SRAM存储单元读操作分析
读操作开始前,位线BIT和BIT被预充电,预充电平的典型值是电源电压。读操作过程中字线ROW被驱动到高电平,打开传输管N3 和N4。由于节点A为高电平,节点B为低电平,位线BIT就会经过N4 和N2 放电,电平逐渐降低;此时,由于N3管源漏电压近似相等,因此只有很小的电流流过,位线BIT会继续保持高电平状态。
分类:其他好文   时间:2020-04-29 18:59:01    阅读次数:195
SRAM随机存储器的特点及结构
SRAM 是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路,它的代码的读出是非破坏性的,并不需要相应的刷新电路,因此它的存取速度比DRAM 要快。但是,SRAM 需要用更多的晶体管来存储一位的信息(采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据),因而其位密度比其它类型的低,造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
分类:其他好文   时间:2020-04-29 18:37:45    阅读次数:73
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