NANDFLASH: Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越 ...
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2016-09-09 18:41:28
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重定位代码 两个不同的地址概念： 对于程序而言，需要理解两个地址，一个是程序当前所处的地址，即程序运行时所处的当前地址。二是程序应该位于的运行地址，即编译程序时所指定的程序的链接地址。在Tiny6410中板子上电启动时只会从NAND Flash/MMC等启动设备中拷贝前8K的代码到SRAM中，然后跳 ...
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2016-09-04 20:50:28
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关于NAND FLASH的结构是以页为单位写，以块为单位来擦除： 1Gb 为大页 page=2048Kb BLOCK=128K 512Mb 为小页 page=512byte BLOCK=16K PS:一页还有额外64字节OOB块，通常不计入读取范围。 另一个区别就是ECC的验证: ECC是每256个 ...
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2016-09-04 17:31:03
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最简单的bootloader的编写步骤： 1. 初始化硬件：关看门狗、设置时钟、设置SDRAM、初始化NAND FLASH2. 如果bootloader比较大，要把它重定位到SDRAM3. 把内核从NAND FLASH读到SDRAM4. 设置"要传给内核的参数"5. 跳转执行内核 改进：1. 提高C ...
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2016-09-02 20:25:19
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本文对FLASH的基本存储单元结构、写操作、擦除操作和读操作的技术进行了简单介绍，对了NOR和NAND由存储结构决定的特性和应用场合的差异，对后续的编程和驱动起到铺垫作用。 ...
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2016-09-01 12:25:41
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[BZOJ2908]又是nand 试题描述 首先知道A nand B=not(A and B) （运算操作限制了数位位数为K）比如2 nand 3，K=3，则2 nand 3=not (2 and 3)=not 2=5。 给出一棵树，树上每个点都有点权，定义树上从a到b的费用为0与路径上的点的权值顺 ...
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2016-08-24 11:13:25
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1、6410地址空间 外设区：从0x70000000-0x7FFFFFFF有256MB 主存储区：从0x00000000-0x6FFFFFFF有1972MB 对于主存储区： 静态存储区可以接我们的NOR Flash以及One nand等等设备，它的6*128MB意思是有6个BANK，每个BANK有1 ...
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2016-08-21 13:47:44
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这个主要是参考的Exynos4412 所用外存 —— eMMC这篇笔记。 问题引出： Exynos4412所用外存不是原来的Nand Flash 与 Nor Flash，而是eMMC。eMMC是什么呢？和Nand Flash有什么区别呢？ eMMC是什么？ 开发板学习中，听到这类英文缩写的模块时，如... ...
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2016-08-20 16:17:47
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固态硬盘 SSD Solid State Drives 用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘 由控制单元和存储单元组成 厂商只需购买NAND存储器，再配合适当的控制芯片，就可以制造固态硬盘 NAND：计算机闪存设备 存储介质分为两种： 基于闪存类：采用FLASH芯片作为存储介质，如笔记本硬盘、U盘等， ...
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2016-08-20 01:35:52
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1、概述 S3C6410X存储器子系统包括7个存储器控制器，SROM控制器，两个OneNAND控制器，一个NAND Flash控制器，一个CF控制器，一个DRAM控制器。静态存储器控制器，oneNAND控制器，NAND控制器和CF控制器通过EBI公用存储器端口0. Note) 6410X PoP A ...
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2016-08-07 23:10:12
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