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本片半导体
共价键
空穴——自由电子
复合：自由电子进入空穴
一定温度下自由电子和空穴和浓度是一样的，温度增高浓度增大
载流子：运载电荷的粒子
P型半导体最多可产生4个空穴，即使加入高价杂质，比如5价杂质，因此在没有空穴的情况下，还会多出一个电子，因而自由电子为多数载流子
N型多数载流子为空穴
当温度变化时，少数载流子对导电性的影响更为显著，因为温度变化自由电子与空穴是成对增加或者减少的，因而载流子的比例就会显著变化。
N型半导体多数载流子是自由电子，P型半导体（多为硼等3价杂质）多数载流子为空穴。
扩散运动：所有物质都有的运动，因为浓度差，P区空穴向N区扩散，N区自由电子向P区扩散。
漂移运动：电位差（电压)。
正向偏置：外场削弱漂移运动，而有利于扩散运动。
反向偏置：外电场削弱扩散运动，增加漂移运动，而参与漂移运动的是少数载流子，因而电流很小。但温度升高，参与漂移的载流子会迅速升高。
因为有电容效应，因而有频率的限制。电容大频率就小。
扩散电容
势垒电容
点接触型二极管：工作频率高、等效电容小、电流小
面接触型：工作频率低、电流大
平面型：扩散工艺。
开启电压：即使单向导电性，也不是P极一接正电压就会有电流，因为一是接电极时会带有些电阻，还要克服内电场。
反向饱和电流：参与漂移运动的少数载流子会逐步增大，直至全部都参与了漂移运动。
击穿电压：
正向接时要加个电阻
每升高10度，少数载流子增一倍。
理想二极管：正向导通电压为零，反向饱和电流为零。
三极管
基极：复合运动形成
发射极：扩散运动形成
集电集：漂移运动形成
非平衡载流子
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原文地址：http://www.cnblogs.com/tanlooger/p/5167355.html
