标签：命令 app which a10 delay nal mic 模糊 寄存器
查询手上的 SDRAM 芯片对应数据手册《 Winbond W9812G6KH - 6》，感觉它的初始化部分讲得有些模糊，所以拿到另一款 SDRAM 芯片的数据手册《IS42S116160》来分析，虽然 SDRAM 芯片不一样，但初始化操作是类似的。
一、初始化过程
1、文字描述
数据手册原文：Prior to normal operation, the SDRAM must be initialized. A 100µs delay is required prior to issuing any command other than a COMMAND INHIBIT or a NOP.The COMMAND INHIBIT or NOP may be applied during the 200us period and should continue at least through the end of the period. With at least one COMMAND INHIBIT or NOP command having been applied, a PRECHARGE command should be applied once the 100µs delay has been satisfied. All banks must be precharged. This will leave all banks in an idle state after which at least two AUTO REFRESH cycles must be performed. After the AUTO REFRESH cycles are complete, the SDRAM is then ready for mode register programming. The mode register should be loaded prior to applying any operational command because it will power up in an unknown state.
由此我们知道：在 SDRAM 正常工作前必须先进行初始化。在执行任何命令前（除了 COMMAND INHIBIT 或 NOP命令），必须先延时等待 100us，在 200us 周期内，可能会执行 COMMAND INHIBIT 或 NOP 命令，并一直到该 200us 的结束。执行完至少一次的 COMMAND INHIBIT 或 NOP 命令后，且满足了上电后延时等待 100us 这个条件，就必须立刻给一个 PRECHAEGE 命令。所有的 Bank （A10为高电平）都必须被预充电，在至少两个 AUTO REFRESH 周期后，所有 Bank 都处于空闲状态，之后 SDRAM 准备加载模式寄存器。在执行任何其他的操作命令前，都应先加载模式寄存器，因为模式寄存器上电后处于未知的状态。
2、初始化时序图
上面的文字描述还是说得不是很清楚，现在我们根据时序图再来捋一捋初始化过程到底怎么回事：
①上电后先延时 100us，此过程中，命令为 INIHIBIT 或 NOP。
②100us 结束后，给出一个命令： PRECHARGRE，对所有 Bank 进行预充电
③等待时间 tRP，此过程中，命令为 INIHIBIT 或 NOP，tRP 时间结束后，给出一个命令：AUTO REFRESH。
④等待时间 tRC，此过程中，命令为 INIHIBIT 或 NOP，tRC 时间结束后，给出一个命令：AUTO REFRESH。
⑤等待时间 tRC，此过程中，命令为 INIHIBIT 或 NOP，tRC 时间结束后，给出一个命令：load MODE REGISTER，具体的模式寄存器的值由 A0-A11 提供。
⑥等待时间 tMRD，此过程中，命令为 INIHIBIT 或 NOP，tMRD时间结束后，SDRAM 初始化即完成。
注：tRP、tRC、tMRD等时间均可在数据手册中查到。
二、SDRAM 操作命令和模式寄存器
三、时序设计
四、关于仿真
标签：命令 app which a10 delay nal mic 模糊 寄存器
原文地址：https://www.cnblogs.com/xianyufpga/p/12233187.html
