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研究人员开发一种新的MRAM单元结构

时间:2020-04-20 16:01:51      阅读:66      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

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MRAM存储芯片可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业,军事及太空应用,这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。

东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构,该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻(USMR)。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。

技术图片

自旋霍尔效应导致电子在材料的侧面以一定的自旋积累。通过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合,研究人员设法制造出具有巨型USMR的器件。

MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效的特点。

研究人员开发一种新的MRAM单元结构

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原文地址:https://blog.51cto.com/14767425/2488738

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