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NAND FLASH几种颗粒的区别

时间:2020-05-29 10:21:24      阅读:1202      评论:0      收藏:0      [点我收藏+]

标签:产品   区间   密度   使用   双层   cell   便宜   次数   构建   

flash有四种颗粒SLC、MLC、TLC、QLC。

SLC质量最好也最贵,MLC、TLC、QLC依次变差变便宜。

 

下面是具体的介绍,来自网络。

SLC(单层存储单元)

全称是Single-Level Cell,单层电子结构,每个cell可以存放1bit数据,SLC达到1bit/cell,写入数据的时候电压变化区间小,P/E寿命较长,理论擦写次数在10万次以上,但是由于成本最高,所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。

MLC(双层存储单元)

全称是Multi-Level Cell,使用高低电压的而不同构建的双层电子结构,MLC达到2bit/cell,P/E寿命较长,理论擦写次数在3000-5000次左右,成本相对较高,但是对于消费级来说也可以接受,多用于家用级高端产品中。

TLC(三层存储单元)

全称是Trinary-Level Cell,三层式存储单元,是MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,由于存储密度较高,所以容量理论上是MLC的1.5倍,成本较低,但是P/E寿命相对要低一些,理论擦写次数在1000-3000次不等,是目前市面上主流的闪存颗粒。

QLC(四层存储单元)

全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短,理论擦写次数仅150次。

NAND FLASH几种颗粒的区别

标签:产品   区间   密度   使用   双层   cell   便宜   次数   构建   

原文地址:https://www.cnblogs.com/zsy-xmfc/p/12640528.html

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