标签：写入 span 要求 工作 loading 判断 作用 保存 size
1、SRAM存储单元结构
工作管：T1、T2(保存数据）
负载管：T3、T4（补充电荷）
门控管：T5、T6、T7、T8（开关作用）
2、SRAM存储单元工作原理
X地址选通（行选通）
T5、T6管导通
A点与位线相连（B点也一样）
Y地址选通（列选通）
T7、T8管导通
A点电位输出到I/O端（B点也一样）
写过程：
读过程：
通过外接于I/O于I/O非 的电流放大器中的电流方向可判断读出的是1还是0（与写入时定义的1和0有关）
无论读/写，都要求x和y译码线同时有效
保持：
x、y撤销后，由负载管T3、T4分别为工作管T1、T2提供工作电流，保持其稳定互锁状态不变。
3、静态存储器的结构
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原文地址：https://www.cnblogs.com/fate-/p/13156760.html
