标签：mask mic pat 导致 区域 开始 制造 alt com
在 20nm 以下的工艺中，由于相邻 metal wire 的间距太小，使得光刻过程中，相邻的光线间距太小，相互之间会发生干涉，导致 metal wire 边缘模糊，甚至出现short。
为了解决这个问题，先进工艺开始采用 double pattern，也称为 double mask，就是将原来的一层 mask 拆分成两层，在每一层 mask 中都不出现最小间距，才能保证制造不出现瑕疵，代价就是费用成倍增加，原来只需一层光罩的费用，现在需要两层。
相应地，在芯片物理设计过程中，需要确保每层metal 都可以拆分成两层 mask，如果出现无法拆分的情况，就会报 odd cycle drc
什么样的情况才会出现 odd cycle drc ？
如下图所示，在这个区域内有5条 metal （奇数条），如果相邻的metal 间距都小于 double pattern 规定的最小spacing，就会出现无法拆分的情况
假设分为 AD 和 BCE，如下图，由于 BC 间距小于double pattern 规定的最小 spacing，无法制造！
可能有人会问，为什么不拆分成 ACE 和 BD？ 这样 BC 之间不就没问题了吗？
实际上由于 AE 间距小于 double pattern 规定的最小 spacing，也无法制造！
（这里要强调这个区域内所有相邻的 metal wire spacing 都是小于 DBT 规定的最小spacing）
所以这个 mask 无法拆成两个满足要求的 mask，ICC 会检测到这种问题，并且报 odd cycle drc
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标签：mask mic pat 导致 区域 开始 制造 alt com
原文地址：https://www.cnblogs.com/xiaoxie2014/p/11543777.html
